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立陶宛Optogama光折变晶体BGO晶体
立陶宛Optogama光折变晶体BGO晶体
  • 立陶宛Optogama光折变晶体BGO晶体

立陶宛Optogama光折变晶体BGO晶体

产品报价:5000元

更新时间:2020/1/19 17:46:38

地:广东

牌:Optogama

号:BGO晶体

厂商性质: 生产型,贸易型,不用本金就能赚钱的方法

公司名称: 深圳维尔克斯光电有限公司

产品关键词: BGO晶体   SBN晶体   Fe:LiNbO3晶体   BSO晶体   光折变晶体  

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不用本金就能赚钱的方法 LIUJINGLI : (13691916712) (0755-84870203)

(联系我时,请说明是在来宝网上看到的,谢谢!)



硅酸铋(Bi)12SiO20,bso)晶体是一种高效率的光导材料,暗导率低,允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围:空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体,其孔径可达3英寸。

铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe:LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能,是一种很有吸引力的光折变材料。Fe:LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长,尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是,Fe:Linbo3晶体操作方便,成本低,适合批量生产。

SBN晶体晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的,被Ce,Cr,Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体,采用改进的Stepanov法生长,线性尺寸可达40 mm。

锗酸铋(Bi12GeO20,BGO)晶体是具有低暗电导率的高效光电导体,可以积累大量光致空间电荷。

立陶宛Optogama光折变晶体BGO晶体

立陶宛Optogama光折变晶体BGO晶体

立陶宛Optogama光折变晶体BGO晶体

 

硅酸铋晶体主要特点:

-高电光系数(r41=5pm/v)

-高相位共轭效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根据要求定制

 

BSO晶体主要应用:

       -空间光调制器

-光开关

-相位共轭混合器。

 

BSO晶体的技术特性:

化学公式

Bi12SiO20

晶体结构

立方体,点编组23

晶格参数

10.10 a

密度

9.2克/cm3

Mohs硬度

5

透明度范围

0.45-6μm

折射率

2.5

光学活性

42deg/mm

电光系数

r41 = 5 pm/V

介电常数(低频)

56

暗电阻

1014 Ohm   cm

 

BSO晶体的产品规格:

透明孔径

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<30 arcsec

保护槽

<0.3 mm at 45°

表面质量

40-20 S-D

波前畸变

<λ/4@6328   nm

涂层

无涂层

 

硅酸铋晶体产品型号

SKU

面尺寸

厚度

定向

价格(RMB)

1558

30×30毫米

1.0毫米

[110]

5500

6880

20x20毫米

1.0毫米

[110]

4500

6881

20x20毫米

1.0毫米

[100]

4500

6882

10x10毫米

5毫米

[110]

6500

6883

10x10毫米

5毫米

[100]

6500

6884

5x5毫米

5毫米

[110]

4800

6885

5x5毫米

5毫米

[100]

4900

9095

30×30毫米

1.5毫米

[110]

5600

 

铌酸锂晶体主要特点:

-高电光系数(r41=5pm/v)

-高相位共轭效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根据要求定制

LiNbO3晶体的主要应用:

-空间光调制器

-光开关

-全息记录

-光波导

 

LiNbO3晶体技术特性:

化学公式

Fe:LiNbO3

晶体结构

三角形,3m

密度

4.64克/cm3

Mohs硬度

5

透明度范围

0.35-5.5μm

折射率@0,63μm

ne = 2.20, no = 2,29

电光系数

r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V

介电常数

e11 = 85,e33 = 30

 

铌酸锂晶体产品规格:

Fe2O3

0.1 mol. %,0.05   mol. %,0.03 mol. %,0.02 mol.   %

定向

90°切割(X-切割,Y-切割)

透明孔径

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<3 arcmin

保护槽

<0.3 mm at 45°

表面质量

20-10 S-D

波前畸变

<λ/4@6328   nm

涂层

无,可根据要求提供抗反射或铟锡氧化物涂层

电极

无,可根据要求提供

 

铌酸锂晶体产品型号:

SKU

面尺寸

长度

掺杂水平

价格(RMB)

4052

10x10毫米

5毫米

0,05%Fe2O3

请求

6457

10x10毫米

5毫米

0,02%Fe2O3

请求

6458

10x10毫米

5毫米

0,03%Fe2O3

请求

7005

10x10毫米

5毫米

0,1%Fe2O3

请求

7006

10x10毫米

1毫米

0,02%Fe2O3

4000

7007

10x10毫米

1毫米

0,03%Fe2O3

4000

7008

10x10毫米

1毫米

0,05%Fe2O3

4000

7009

10x10毫米

1毫米

0,1%Fe2O3

4000

7010

20x20毫米

1毫米

0,02%Fe2O3

请求

7011

20x20毫米

1毫米

0,03%Fe2O3

请求

7012

20x20毫米

1毫米

0,05%Fe2O3

请求

7013

20x20毫米

1毫米

0,1%Fe2O3

请求

 

 

SBN晶体的主要特点:

-Ce,Cr,Co,Fe纯掺杂

-有效相位共轭

-定制尺寸,掺杂水平,无极化,减反射涂层和没有电极晶体可根据要求

 

SBN晶体的主要应用:

-光学信息记录

-热释电探测器

-自泵浦自共轭镜

-光学相关器

 

SBN晶体的技术特性:

构图

SBN:61

SBN:75

晶体结构

四边形,4毫米

四边形,4毫米

晶格参数

a = 12,46 ?, c = 3,946 ?

a = 12,43024 ?, c = 3,91341 ?

密度

5,4 g/cm3

5,4 g/cm3

Mohs硬度

5.5

5.5

熔化温度

1480°C

1480°C

居里温度

75°C

56

透光度范围

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

折射率@633   nm

no = 2.3103,ne = 2.2817

no = 2.3117,ne = 2.2987

Δn@633   nm

-0.0286

-0.0130

传动

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

半波电压(λ/2)

240 V

60V

介电常数(T=293   K)

900

340

电光系数

R13=45 pm/V,R33=250   pm/V

R13=65 pm/V,R33=740   pm/V,r42=40 pm/V

热释电系数

0.065μC×cm-2×K-1

0.28μC×cm-2×K-1

介电常数

880

3400

 

SBN晶体的产品规格:

定向

沿四方轴的短边

波林

极化

电极

碳水电极

透明孔径

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<30 arcsec

保护槽

<0.1 mm at 45°

表面质量

20-10 S-D通过透明光圈,60-40 S-D其他表面

表面平整度

<λ/4@6328   nm

涂层

无涂层

 

SBN晶体的产品型号:

SKU

材料

面尺寸

长度

掺杂

价格(RMB)

6940

SBN:61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0,002   wt,%

15000

6941

SBN:61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0,002   wt,%

18500

6942

SBN:61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0,002   wt,%

24000

6943

SBN:61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0,002   wt,%

30000

6944

SBN:61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0,01   wt,%

15000

6945

SBN:61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0,01   wt,%

18800

6946

SBN:61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0,01   wt,%

22000

6947

SBN:61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0,01   wt,%

30000

6948

SBN:61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0,1   wt,%

15000

6949

SBN:61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0,1   wt,%

18500

6950

SBN:61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0,1   wt,%

24000

6951

SBN:61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0,1   wt,%

30000

73

SBN:61

5x5毫米

5毫米

未掺杂

15000

74

SBN:61

5x5毫米

10毫米

未掺杂

18500

75

SBN:61

5x5毫米

15毫米

未掺杂

24000

76

SBN:61

5x5毫米

20毫米

未掺杂

30000

 

BGO晶体的主要特点:

-高电光系数(r41=3,5 pm/v)

-低暗电导

-大尺寸元件或晶片最多可达3“

-可根据要求定制

 

BGO晶体的主要应用:

-空间光调制器

-光开关

-光学相关器

 

BGO晶体的技术特性:

化学公式

Bi12GeO20

晶体结构

立方体,点编组23

晶格参数

10.15 a

密度

9.2克/cm3

传输范围

0.45-7

折射率@0.63m

2,55

光学活性@500   nm

41.5度/毫米

电光系数r41

3.5 pm/V

介电常数

40

暗电阻

1014 Ohm cm

 

BGO晶体的产品规格:

透明孔径

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<30 arcsec

保护槽

<0.3 mm at 45°

表面质量

40-20 S-D

波前畸变

<λ/4@6328   nm

涂层

无涂层

 

BGO晶体的产品型号:

SKU

面尺寸

长度

定向

价格(RMB)

6868

5x5毫米

5毫米

[110]

5600

6871

5x5毫米

5毫米

[100]

5600

6872

10x10毫米

5毫米

[110]

8500

6873

10x10毫米

5毫米

[100]

8500

6874

20x20毫米

1毫米

[110]

5000

6875

20x20毫米

1毫米

[100]

5000

6876

30×30毫米

1毫米

[110],边与<001>平面±2deg平行

6000

6877

30×30毫米

1,5毫米

[110]

6000

 


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| 第6

SHOUJI:13691916712

LIANXIREN:LIUJINGLI

DIANHUA:0755-84870203

不用本金就能赚钱的方法 CHUANZHEN:0755-84870203

QQ:48245774

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